半導(dǎo)體光電雜志基礎(chǔ)信息：

《半導(dǎo)體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物。刊載半導(dǎo)體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計(jì)算、處理技術(shù)，以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文、學(xué)位論文和工作報(bào)告，介紹光學(xué)、光子學(xué)、量子電子學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件，報(bào)道國(guó)內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對(duì)象為半導(dǎo)體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

半導(dǎo)體光電雜志欄目設(shè)置：

本刊主要欄目：動(dòng)態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應(yīng)用。

半導(dǎo)體光電雜志訂閱方式：

ISSN：1001-5868，CN：50-1092/TN，地址：重慶市南坪花園路14號(hào)44所內(nèi)，郵政編碼：400060。

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半導(dǎo)體技術(shù)雜志

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半導(dǎo)體光電雜志社編輯部征稿波導(dǎo)微環(huán)共振濾波器的濾波特性分析SOI基可變光學(xué)衰減器的回波損耗研究雙層異質(zhì)結(jié)器件載流子復(fù)合位置的研究用于紅外單光子探測(cè)的APD二次封裝技術(shù)Si基Ge量子點(diǎn)光電探測(cè)器的研究GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器光響應(yīng)特性兩基色白光LED的光視效能的研究1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)用于紅外探測(cè)的非晶硅薄膜晶體管Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型光伏型光電探測(cè)器漂移-擴(kuò)散模型的改進(jìn)集成光波導(dǎo)微應(yīng)力傳感器研究數(shù)字光電耦合器隔離性能及動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實(shí)現(xiàn)InGaAs/InAlAs蓋帽層對(duì)InAs自組裝量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)的影響超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理銦對(duì)GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能二次退火對(duì)p型GaN的應(yīng)變影響圓片直接鍵合界面表面能測(cè)試研究